[拼音]：ciji dianzi fashe

[外文]：secondary electron emission

通常指由于初级电子撞击固体，导致固体内发射电子的过程。它是制作扫描电子显微镜、电子倍增器、光电倍增管及很多真空器件的基础。扫描电子显微镜的次级电子像又是区别不同表面形貌的重要手段，但它的分析深度大约是200┱。

次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；之后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。

次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。

晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。

参考书目

Hachenberg and W. Brauer， Secondary Electron Emission From Solid， Y. L. Marton， ed.， Advances in Electronics and Electron Physics，pp.413～499， Academic Press，New York， 1959.

严正声明：本文由历史百科网注册或游客用户文运自行上传发布关于» 次级电子发射的内容，本站只提供存储，展示，不对用户发布信息内容的原创度和真实性等负责。请读者自行斟酌。同时如内容侵犯您的版权或其他权益，请留言并加以说明。站长审查之后若情况属实会及时为您删除。同时遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，尊重和保护作者的劳动成果，转载请标明出处链接和本声明内容：作者：文运；本文链接：https://www.freedefine.cn/wenzhan/130647.html